SJ 50033.79-1995 半导体分立器件.CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
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ID： |
A901B0DE9D1744E0972D91FA37A9FEF7 |
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文件大小(MB)： |
0.63 |
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页数： |
16 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/79-1995,半导体分立器件,CS0536型珅化钱微波功率场,效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS0536 GaAs microwave power FET,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标油,半导体分立器件,CS0536型碑化镇微波功率场 SJ 50033/79-1995,效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS0536 GaAs microwave power FET,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS0536型抑化镣微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制,生产和采购,1.3 分类,本规范根据丒器件质量保证等级进行分类,1.3.I 器件的等被,按GJB 33 1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母,GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-84场效应晶体管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2. ］引出端材料和涂层,引出端材料为可伐合金,引线表面镀金,3.2.2器件结构,中华人民共和国电子工业部1995.05-25发布 !995-12-01实施,—1 —,SJ 50033/79-1995,采用神化镇N型沟道肖特基势垒栅结构,3.2,3外形尺寸,外形尺寸见图1,◎,V1,ペ寸,符義\ 量小值标称值最大值,A — 一2.5,九0.5 4— 0.8,% 0.5^ 一0.8,C 0.09 1 045,F 0,5 — 0.7,K 2.35 一2.65,L 2.0 —,招L5 — L7,Q 一— 必9,Q 6,0 — 6.2,S 3.0 — 3.1,5 8.3 — 8.7,5 2.35 — 2.65,引出端极性:sー底座G-2 D-1,图1外形图,3,3最大额定值和主要电特性,3.3.I最大额定值,注:D当へ＞25七时,按U.4mW/1线性降额,Tc -25V,(W),Vre,(V),Vqdo,(Q,%so,(V),ル,(mA),ら,(t),3,(t),1.7 12 -12 -12 1展175 -65^175,2,SJ 50033/79-1995,3.3.2主要电特性（Ta = 25C）,や,型号、,(mA),Vqs(曲,(V),Stnl,(mS),P OfldB),(mW),GpfldB),(dB),九,(GHz),サMd,(%) (C/W),33V,Vgs = 0V,33V,lD = 5mA,Vds=3V,30，-IV,Vds = 8V,/d = 0.4~0.6/css,P； = 16dBm(CS0536A、B),P, = 17dBm(CS0536C),CS0536A,200-400 一 2~ - 5 >80 >25,ユ9,4,C90536B 6 >25 瞅2 ;,CS0536C >8 8,3.4电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的要求,3,5标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定。制造厂可省略器件上的下列标志:,a.器件型号;,b.产品保证等级;,c.制造厂厂名,代号或商标;,d.检验批识别代码,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应符合GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT、GCT级）,筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定进行,下面测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极限值的器件应予剔除,筛 选,（见GJB 33的表2）,测 试 或试验,3热冲击-65~15g,6高温反偏Ta = 150V,t =48h,Vess = -7.2V,<. 7中间电参数lessいWml,匕凝禎）*,8功率老化见 4.3.1,3,SJ 50033/79-1995,续表,筛 选 I,（见GJB 33的表2）,测 试 或 试 験,9最后测试按本规范表1的A2分组;,Ag1n!4初始值的士15咻:,AVGstdf） ?初始值的士 15%或Q.5V,取较大者キ,A/gss?窓初始值的100%或0.25mA,取较大者,4.3.I 功率老化条件,功率老化条件如下:,Tc = 70 ± 5V；Ptot = L2W;Vcfi = 8V0,4.4 质量一致性检睑,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试脸方法应按本规范相应的表和下列规定,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3.3.2.1条的规定,表1 A组检验,检验或试验,方法,GB 4586,条 件LTPD 符号,极限值,単位,最小最大,A1分组,外观及机械检験GJB 128,2071,5,A2分组,栅一源截止电压,柵一源短路下的漏,极电……
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